Назначение
Комплексы автоматизированные измерения, управления и защиты ABB Ability
Описание
Industrial (далее - комплексы) предназначены для измерительных преобразований сигналов силы и напряжения постоянного тока, сопротивления постоянного тока, частоты следования импульсов, сигналов от термопар и термопреобразователей сопротивления, а также для формирования управляющих аналоговых сигналов силы и напряжения постоянного тока.
Описание средства измерений
Принцип действия комплексов основан на преобразовании сигналов от датчиков в цифровой код при помощи аналого-цифрового преобразователя (АЦП) и на преобразовании цифрового кода в воспроизводимую величину при помощи цифро-аналогового преобразователя (ЦАП).
Комплекс конструктивно состоит из верхнего и нижнего уровней, связанных между собой посредством стандартных промышленных полевых шин и протоколов связи, таких, как RS-232C, Ethernet, PROFIBUS, FOUNDATION Fieldbus, HART, IEC 61850, PROFINET IO, в том числе через встроенные или внешние интерфейсы связи. Нижний уровень выполнен в виде шкафов, которые включают в себя коммутационное оборудование, измерительное оборудование выполненное на базе промышленных логических контроллеров фирмы ABB: AC 800M, AC 800F, AC 700F, AC 100, Advant/Master, Advant/MOD 300, DCI, Harmony/INFI90, Melody, Freelance и Safeguard с модулями ввода/вывода аналоговых сигналов серий S800, S700 и S900 (для взрывоопасных зон), с барьерами искробезопасности серии MTL5500 и MACX MCR и специализированных модулей системы управления турбиной (TP800, VP800, AS800 и MCM800), выполняющей функции противоразгонной защиты турбины, управления регулирующими клапанами, автоматической синхронизации генератора и мониторинга состояния механических величин системы.. Верхний уровень представлен техническими средствами сбора и обработки информации, выполнен на базе персонального компьютера, объединенные локальной вычислительной сетью. Модули ввода/вывода комплекса можно заменять при полной нагрузке комплекса.
Общий вид комплекса представлен на рисунке 1.
Шкафы комплекса имеют встроенный замок. Защита от несанкционированного доступа обеспечивается наличием ключей от шкафов.
Программное обеспечение
Программное обеспечение (ПО) комплексов Ability Industrial11 состоит из базового ПО и фирменного ПО.
Базовое ПО включает в себя пакет программного обеспечения сторонних производителей, содержащий операционную систему MS Windows, офисный пакет MS Office, а также драйверы устройств ПК.
Фирменное ПО включает в себя:
IT
- пакет программных приложений Ability Industrial ;
- встроенное ПО модуля центрального процессора (PM7xx, PM8xx, PM9xx), включающее в себя ПО для микроконтроллеров интеллектуальных модулей устройства сопряжения с объектом (УСО).
Встроенное ПО модуля центрального процессора, влияющее на метрологические характеристики, устанавливается в энергонезависимую память модулей в процессе производства на заводе-изготовителе и в процессе эксплуатации изменению не подлежит Соответствует уровню защиты «средний» в соответствии с Р 50.2.077-2014.
Идентификационные данные ПО модулей приведены в таблице 1.
IT
Таблица 1 - Идентификационные данные ПО модулей комплексов Ability Industrial
| Идентификационные данные | Значение |
| Идентификационное наименование ПО | FW860 | FW861 | 800 series TM firmware | MCM800 firmware |
| Номер версии (идентификационный номер) ПО, не ниже | FW860- 499cbc4db5 | FW861- 499cc005eb | 9A53301-v6.1 | MCM800_51 |
| Цифровой идентификатор ПО | — |
Технические характеристики
Метрологические характеристики приведены в таблицах 2, 3.
Таблица 2 - Метрологические характеристики модулей комплекса автоматизированного
IT
измерения, управления и защиты ABB Ability Industrial_
| Модуль | Кол-во каналов | Диапазон преобразований аналоговых сигналов/разрядность цифровых сигналов | Пределы допускаемой основной погрешности Y - приведённая, % от верх. гр. диап. изм., ±; А - абсолютная, ± | Пределы допускаемой доп. погрешности от изменения температуры окр. среды на 1°С Yдоп - приведённая, % от верх. гр. диап. изм., ±; Адоп - абсолютная, ± |
| на входе | на выходе |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| Серия модулей ввода/вывода S800, S700 |
| AI801/ 3BSE020512R1 | 8 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,008 %/°С |
| AI810/ 3BSE008516R1 | 8 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,008 %/°С |
| от 0 до 10 В от 2 до 10 В | Yдоп= 0,01 %/°С |
| AI815/ 3BSE052604R1 | 8 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| от 0 до 5 В от 1 до 5 В |
| AI820/ 3BSE008544R1 | 4 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА | 14 бит + знак | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| от 0 до 10 В от 2 до 10 В от 0 до 5 В от 1 до 5 В от -5 до +5 В от -10 до +10 В | Yдоп= 0,007 %/°С |
| AI825/ 3BSE036456R1 | 4 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 14 бит + знак | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,0078 %/°С |
| от -20 до +20 мА | Yдоп= 0,0057 %/°С |
| от 0 до 10 В от 2 до 10 В | Yдоп= 0,0047 %/°С |
| от -10 до +10 В | Yдоп= 0,0034 %/°С |
Продолжение таблицы 2
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| | | от 0 до 400 Ом | | А = 0,083 Ом | Адоп= 0,004 °С |
| | | Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -80 до +80 °С от -200 до +250 °С от -200 до +850°С | | А = 0,10 °С А = 0,15 °С А = 0,31 °С | Адоп= 0,0017 °С Адоп= 0,0028 °С Адоп= 0,007 °С |
| | | Pt100 (а = 0,00391 °С-1) от -200 до +880 °С | | А = 0,29 °С | Адоп= 0,007 °С |
| | | Pt100 (а = 0,00392 °С-1) от -200 до +880 °С | | А = 0,30 °С | Адоп= 0,007 °С |
| AI830A/ 3BSE040662R1 | 8 | Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -80 до +80 °С от -200 до +250 °С от -200 до +850 °С | 14 бит | А = 0,10 °С А = 0,14 °С А = 0,30 °С | Адоп= 0,0017 °С Адоп= 0,0027 °С Адоп= 0,007 °С |
| | | Pt100 (а = 0,003916 °С-1) от -200 до +649 °С | | А = 0,25 °С | Адоп= 0,0052 °С |
| | | Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С | | А = 0,10 °С | Адоп= 0,0021 °С |
| | | Ni120 (а = 0,00617 °С-1) от -80 до +260 °С | | А = 0,27 °С | Адоп= 0,0029 °С |
| | | Cu10 (а = 0,00427 °С-1) от -100 до +260°С | | А = 1,00 °С | Адоп= 0,024 °С |
Y = 0,1 %
от -30 до +75 мВ
B: от 44 до 1820 °С
C: от 0 до 2300 °С
D: от 0 до 2300 °С
Y = 0,15 % от Ши"17
Y = 0,1 % от Шц15
Y = 0,1 % от ШЦ7
Y = 0,1 % Ши7"
от -270 до -200 °С;
А = 0,8 °С от -200 до +1000°С
E: от -270 до +1000 °С
J: от -210 до +1200 °С
K: от -270 до +1372 °С
А = 0,8°С
Y = 0,1 % Шц15
от-270 до -200 °С;
А = 1,0 °С от -200 до +1372 °С
Y = 0,05 % ШЦ7
AI835A/
3BSE051306R1
от -270 до +120 °С;
А = 0,7 °С от 120 до 1300 °С
15 бит
8
п= 0,0009 %/°С
N: от -270 до +1300 °С
Yдt
от -50 до +400 °С;
А = 1,5 °С до 400 до 1768 °С
Y = 0,1 % Ши7
Y = 0,1 % Ши7
от -50 до +400 °С;
А = 1,5 °С от 400 до 1768 °С
Y = 0,1 % Ши7
от -270 до -180 °С;
А = 0,7 °С от -180 до +400 °С
R: от -50 до +1768 °С
S: от -50 до +1768 °С
T: от -270 до +400 °С
U: от -200 до +600 °С
А = 0,8 °С
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| AI843/ 3BSE051306R1 | 8 | от -30 до +75 мВ | 15 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,0025 %/°С |
| B: от 44 до 1820 °С | Y = 0,15 % Х) |
| C: от 0 до 2300 °С | Y = 0,1 % :) |
| D: от 0 до 2300 °С | Y = 0,1 % Х) |
| E: от -270 до +1000 °С | Y = 0,1 %:) от -270 до -200 °С; А = 0,8 °С от -200 до +1000°С |
| J: от -210 до +1200 °С | А =0,8°С |
| K: от -270 до +1372 °С | Y = 0,1 %Х) от-270 до -200 °С; А = 1,0 °С от -200 до +1372 °С |
| N: от -270 до +1300 °С | Y = 0,05 %Х) от -270 до +120 °С; А = 0,7 °С от 120 до 1300 °С |
| R: от -50 до +1768 °С | Y = 0,1 %:) от -50 до +400 °С; А = 1,5 °С до 400 до 1768 °С |
| S: от -50 до +1768 °С | Y = 0,1 %:) от -50 до +400 °С; А = 1,5 °С от 400 до 1768 °С |
| T: от -270 до +400 °С | Y = 0,1 %:) от -270 до -180 °С; А = 0,7 °С от -180 до +400 °С |
| U: от -200 до +600 °С | А II О 8 ° О |
| AI845/ 3BSE023675R1 | 8 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от 0 до 5 В от 1 до 5 В | 12 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| AI880(A)/ 3BSE039293R1 | 8 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| AI890/ 3BSC690071R1 | 8 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,01 %/°С |
от -10 до +25 мВ от -15 до +80 мВ
B: от 0 до 1820 °С C: от 0 до 2300 °С D: от 0 до 2300 °С E: от -270 до +1000°С J: от -210 до +1200 °С K:от-270 до +1372°С L:от -100 до +900°С N: от -270 до +1300°С R: от -50 до +1768°С S:от-50 до +1768°С T:от -270 до +400 °С U: от -200 до +600 °С
А = 20 мкВ
Адоп= 2 мкВ/°С
от 0 до 400 Ом от 0 до 4000 Ом
А = 0,1 Ом А = 1 Ом
Адоп= 0,01 Ом/°С Адоп= 0,1 Ом/°С
15 бит + знак
AI893/
3BSC690141R1
8
А = 0,1 Ом
Адоп= 0,01 Ом/°С
Pt50 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С 50П (а = 0,00391 °С-1) от -200 до +850°С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С 100П (а = 0,00391 °С-1) от -200 до +850°С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -40 до +100 °С Pt200 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С 100Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С 200Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С 500Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С 10М (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200°С 50М (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200°С 100М (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200°С
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| AI895/ 3BSC690086R1 | 8 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,01 %/°С |
| AI723F/ 3BDH000376R0005 | 16 | от 0 до 10 В от -10 до +10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С -1 Pt100 (а = 0,00385 °°С-1) от -50 до +70 °С Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С 1000Н (а = 0,00617 °С-1) от -50 до +150 °С | 12 бит + знак | Y = 0,5 % | Yдоп= 0,02 %/°С |
| AX721F/ 3BDH000370R0001 | 4 | от -10 до +10 В | 12 бит + знак | Y = 0,5 % | Yдоп= 0,02 %/°С |
| от 0 до 10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °С до +400 °С Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °С до +70 °С Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °С до +400 °С Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -50 °С до +150 °С | 12 бит |
| 12 бит + знак | от -10 до +10 В |
| 12 бит | от 0 до 10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
| AX722F/ 3BDH000377R0005 | 8 | от 0 до 10 В от -10 до +10 В | 12 бит + знак | Y = 0,5 % | Yдоп= 0,02 %/°С |
| от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +70 °С Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С 1000Н (а = 0,00617 °С-1) от -50 до +150 °С | 12 бит |
| 12 бит + знак | от -10 до +10 В от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
от -50 до +50 мВ от -500 до +500 мВ от -1 до +1 В от -5 до +5 В, от -10 до +10 В
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА от 0 до 5 В от 0 до 10 В
15 бит + знак
15 бит
Pt100 (а = 0,00385 °СТ) от -50 °C до +70 °C
0,01 °C
3)
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °C до +400 °C- 1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 °C до +850 °C- 1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 °Одо +400 °C Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -50 °C до +150 °C-1 Cu50 (а = 0,00426 °С-1) от -50 до +200 °C -1 Cu50 (а = 0,00428 °С-1) от -200 до +200 °C
AI731F/
3BDH000385R0005
Y = 0,5 %
8
Yдоп= 0,02 %/°С
3)
0,1 °C
15 бит
от 0 до 50 кОм
J: от -210 до +1200 °С K:от -270 до +1372°С T: от -270 до +400 °С N:от -270 до +1300°С S:от -50 до +1768°С
3)
0,1 °C
12 бит + знак
12 бит
от -10 до +10 В
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от 0 до 10 В
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С -1 Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +70 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С
3)
AC722F/
3BDH000369R0001
0,1 °C
Y = 0,5 %
8
Yдоп= 0,02 %/°С
Ni1000 (а = 0,00617 °СГ) от -50 °C до +150 °C
3)
0,1 °C
от -10 до +10 В
12 бит + знак
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА
12 бит
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| | | от -10 до +10 В | 12 бит + знак | | |
| | | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 12 бит | | |
| DA701F/ 3BDH000371R0005 | 4 | Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +70 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -50 до +400 °С N1 i1000 (а = 0,00617 °С-1) от -50 °С до +150 °С | 0,1 °С3) | Y = 0,5 % | Yдоп= 0,02 %/°С |
| AO723F/ | 16 | 12 бит + знак | от -10 до +10 В | Y = 0,5 % | Yдоп= 0,02 %/°С |
| 3BDH0003 84R0005 | 12 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА |
| A0801/ 3BSE020514R1 | 8 | 12 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,006 %/°С |
| A0810V2/ 3BSE038415R1 | 8 | 14 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,006 %/°С |
| A0815/ 3BSE052605R1 | 8 | 12 бит | от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| A0820/ 3BSE008546R1 | 4 | 12 бит + знак | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА от -20 до +20 мА от 0 до 10 В от 2 до 10 В от -10 до +10 В | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,009 %/°С |
| A0845A/ 3BSE045584R1 | 8 | 12 бит | от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| A0890/ 3BSC690072R1 | 8 | 12 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,01 %/°С |
| A0895/ 3BSC690087R1 | 8 | 12 бит | от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,01 %/°С |
| DP820/ 3BSE013228R1 | 2 | Счет импульсов и измерение частоты: от 0,25 Гц до 1,5 МГц | 28 бит + знак | Y = 0,036 % (в рабочем диапазоне температур) |
| DP840/ 3BSE028926R1 | 8 | Счет импульсов и измерение частоты: от 0,5 Гц до 20 кГц | 16 бит | Y = 0,05 % (в рабочем диапазоне температур) |
Серия модулей ввода/вывода S900
AI910S/
3KDE175511L9100
AI910B/
3KDE175512L9100
AI910N/
3KDE175513L9100
14 бит
от 4 до 20 мА
Y = 0,1 %
4
Yдоп= 0,005 %/°С
AI930S/
3KDE175511L9300
AI930B/
3KDE175512L9300
AI930N/
3KDE175513L9300
14 бит
от 4 до 20 мА
Y = 0,1 %
4
Yдоп= 0,005 %/°С
AI931S/
3KDE175511L9310
AI931B/
3KDE175512L9310
AI931N/
3KDE175513L9310
от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА
14 бит
Y = 0,1 %
4
Yдоп= 0,005 %/°С
от 0 до 3 кОм
B: от 44 до 1820 °С E: от -270 до +1000 °С J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С L: от -200 до +900 °С N: от -270 до +1300 °С R: от -50 до +1768 °С S: от -50 до +1768 °С T: от -270 до +400 °С U: от -200 до +600 °С
Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385°С-1) от -200 до +850 °С -1 100Н (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +250 °С
от -30 до +75 мВ
А = 80 мОм
AI950S/
3KDE175521L9500
AI950B/
3KDE175522L9500
AI950N/
3KDE175523L9500
А = 0,01 мВ
16 бит
4
Yдоп= 0,005 %/°С
А = 0,2 °С
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| AO910S/ 3KDE175531L9100 AO910B/ 3KDE175532L9100 AO910N/ 3KDE175533L9100 | 4 | 13 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| AO920S/ 3KDE175531L9200 AO920B/ 3KDE175532L9200 AO920N/ 3KDE175533L9200 | | 13 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| AO930S/ 3KDE175531L9300 AO930B/ 3KDE175532L9300 AO930N/ 3KDE175533L9300 | 4 | 13 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,005 %/°С |
| DP910S/ 3KDE175361L9100 DP910B/ 3KDE175362L9100 DP910N/ 3KDE175363L9100 | 2 | Счет импульсов и измерение частоты: от 0 до 4 кГц от 0 до 1,25 кГц (с определением направления) | 29 бит + знак | Y = 0,1 % для интервала измерения 300мс Y = 1,0 % для интервала измерения 50мс |
| AIS810/ 3BSE078762R1 | 1 | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | 16 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,1 % от 0 до 60 °C; Y^= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
| AIS880/ 3BSE074053R1 | 1 | от 4 до 20 мА | 16 бит | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,1 % от 0 до 60 °C; Y^= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
| AOS810/ 3BSE078764R1 | 1 | 16 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,1 % от 0 до 60 °C; Y^= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
| AOS880/ 3BSE074055R1 | 1 | 16 бит | от 0 до 20 мА от 4 до 20 мА | Y = 0,1 % | Yдоп= 0,1 % от 0 до 60 °C; "Удоп= 0,2 % от -40 до 0 °C и от +60 до +70 °C |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| 3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности MTL5544 | 8 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,175 % | Yдоп= 0,009 %/°С |
| 3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RPSSI-I(-SP) | 8 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности MTL5573 | 8 | от -75 до +75мВ J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R:от -50 до +1768°С S: от-50 до +1768°С B: от 44 до 1820 °С N: от -270 до +1300 °С L (ХК): от -200 до +800 °С Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Cu-50 (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200°С Cu-53fa = 0,00426 °С-1) от -180 до +200°С Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С Ni500 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С от 0 до 400 Ом | 12 бит | Y = 0,15 % или А = 0,015 мВ2) | Yдоп= 0,011 %/°С |
| 3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RTD-I(-SP)(-NC) | 8 | от 0 до 2000 Ом | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| 3BSE052604R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-TC-I(-NC) | 8 | от -20 до +70мВ; | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности MTL5541 | 8 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,175 % | Yдоп= 0,009 %/°С |
| 3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RPSSI-I(-SP) | 8 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности MTL5573 | 8 | от -75 до +75мВ J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R:от -50 до +1768°С S: от-50 до +1768°С B: от 44 до +1820 °С N: от -270 до +1300 °С L (ХК): от -200 до +800 °С Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Cu-50 (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200°С Си-53(а = 0,00426 °С-1) от -180 до +200°С Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С Ni500 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С от 0 до 400 Ом | 12 бит | Y = 0,15 % или А = 0,015 мВ2) | Yдоп= 0,011 %/°С |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| 3BSE023675R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-T-UI-UP(-SP)(-C) | 8 | от 0 до 50к0м от -1000 до +1000 мВ | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности MTL5541 | 8 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,175 % | Yдоп= 0,009 %/°С |
| 3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RPSSI-I(-SP) | 8 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности MTL5573 | 8 | от -75 до +75мВ J: от -210 до +1200 °С K: от -270 до +1372 °С T: от -270 до +400 °С E: от -270 до +1000 °С R:от -50 до +1768°С S: от-50 до +1768°С B: от 44 до +1820 °С N: от -270 до +1300 °С L (ХК): от -200 до +800 °С Pt100 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С Pt500 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Pt1000 (а = 0,00385 °С-1) от -200 до +850 °С -1 Cu-50 (а = 0,00428 °С-1) от -180 до +200°С Cu-53^ = 0,00426 °С-1) от -180 до +200°С Ni100 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С Ni500 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С Ni1000 (а = 0,00617 °С-1) от -60 до +180 °С от 0 до 400 Ом | 12 бит | Y = 0,15 % или А = 0,015 мВ2) | Yдоп= 0,011 %/°С |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| 3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-RTD-I(-SP)(-NC) | 8 | от 0 до 2000 Ом | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 3BSE039293R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-EX-SL-TC-I(-NC) | 8 | от -20 до +70мВ; | 12 бит | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| 3BSE045584R1 с барьерами искробезопасности MTL5546 | 8 | 12 бит | от 4 до 20 мА | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,01 %/°С |
| 3BSE045584R1 с барьерами искробезопасности Phoenix Contact MACX MCR-SL-IDSI-I(-SP) | 8 | 12 бит | от 4 до 20 мА | Y = 0,2 % | Yдоп= 0,015 %/°С |
| Модуль противоразгонной защиты турбины ТР800 |
| ТРМ810 | 2 | от 0 до 12000 Гц от 0 до 120 В (переменного тока) | 16 бит | от 0 до 4000 Гц А = 0,1 Гц от 4000 до 12000 Гц А = 0,25 Гц (в рабочем диапазоне температур) |
| от 4 до 20 мА от 1 до 5 В | 16 бит | Y = 0,26 % (в рабочем диапазоне температур) |
| | Модуль управления регулирующими клапанами VP800 |
| VPM810 | 2 | от 4 до 20 мА | 12 бит | Y = 0,027 (в рабочем диапазоне температур) |
| 12 бит | от 4 до 20 мА | Y = 0,049 % (в рабочем диапазоне температур) |
| Модуль автосинхронизатора AS800 |
| ASM810 | 2 | от 0 до 134 В от 40 до 70 Гц | 16 бит | Y = 1,0 % А = 0,01 Гц (в рабочем диапазоне температур) |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 6 |
| Модуль измерения вибрации и механических величин МСМ800 |
| TBU850 с МРМ810 | 4 | от -20 до +20 В (переменного тока) част.вращ. 1-30000 об/мин. част.диап.вибр. 0-15000 Гц | 16 бит | Y = 0,25 % (в рабочем диапазоне температур) |
Примечания:
1 Ши — ширина диапазона измерения в милливольтах выбранной термопары.
2 За основную погрешность принимают большее из этих двух значений.
3 Еденица наименьшего разряда цифровой индикации.
4 Модули дискретного ввода/вывода, процессорные модули, терминальные блоки, блоки питания, входящие в состав комплексов, не являются измерительными компонентами и не требуют утверждения типа.
5 Для модулей AI835, AI843, AI893, AI950 значение допускаемой основной абсолютной погрешности и температурного коэффициента указаны с учетом погрешности канала компенсации температуры холодного спая (без термочувствительного элемента). В качестве термочувствительного элемента должен применяться термопреобразователь сопротивления Pt100 (а = 0,00385 °С-1) с диапазоном измерений от минус 40 до 100 °С, погрешность, вносимая которым должна арифметически суммироваться с погрешностью канала измерения сигналов термопар.
6 Модули AI815, AI845, AI880A, AO815, AO845, AI895, AO895, AI930, AI931, A0930 могут поддерживать передачу данных по HART протоколу.
7 Поддерживаются термопары B, E, K, N, T, J, R, L(XK) и S с номинальными статистическими характеристиками (НСХ) согласно документу ГОСТ Р 8.585-2001; типа D с НСХ согласно документу ASTM E988; типа С с НСХ согласно документу МЭК 605841:2013; типа L и U с НСХ согласно документу DIN 43710.
8 Поддерживаются платиновые термопреобразователи сопротивления с а = 0,00385 °С-1 и с а = 0,00391 °С-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-2009; а = 0,003916 °С-1 с НСХ согласно документу JIS С1604-81; а = 0,00392 °С-1 с НСХ согласно документу US Lab Std IPTS-68.
Поддерживаются медные термопреобразователи сопротивления с а = 0,00426 °С-1 и с а = 0,00428 °С-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-2009; а = 0,00427 °С-1 с НСХ согласно документу MINCO.
Поддерживаются никелевые термопреобразователи сопротивления с а = 0,00617 °С-1 с НСХ согласно документу ГОСТ 6651-2009.
Таблица 3 - Основные технические характеристики модулей комплекса
| Наименование характеристики | Значение |
| Напряжение питания модулей, В | от 19,2 до 30 |
| Потребляемая мощность модулей, Вт, не более | 6,0 |
| Габаритные размеры модулей, мм, не более: - высота - ширина - длина | 119 45 102 (с учетом разъема 111) |
| Масса модулей, г, не более: | 180 |
| Условия эксплуатации: - температуры окружающей среды, °С - относительная влажность, % - атмосферное давление, кПа | от +5 до +55 от 5 до 95 без конденсата от 74,8 до 110,4 |
| Нормальные условия: - температуры окружающей среды, °С - относительная влажность, % - атмосферное давление, кПа | от +23 до +27 от 5 до 95 без конденсата от 74,8 до 110,4 |
Знак утверждения типа
наносится типографским способом на титульный лист руководства по эксплуатации. Комплектность средства измерений
Таблица 4 - Комплектность комплекса
| Наименование | Обозначение | Количество |
| Модули комплекса автоматизированного измерения, управления и защиты | ABB Abiliity Industrial | Комплектация и количество в соответствии с картой заказа |
| Методика поверки | МП 201-038-2019 | 1 экз. |
| Руководство по эксплуатации | — | 1 экз. |
Поверка
осуществляется по документу МП 201-038-2019 «Комплексы автоматизированные измерения,
IT
управления и защиты Industrial . Методика поверки», утвержденной ФГУП «ВНИИМС» 19.07.2019 г.
Основные средства поверки:
Калибратор многофункциональный Fluke 5502E, регистрационный номер в Федеральном информационном фонде (далее по тексту — рег. №) № 52489-13;
Мультиметр цифровой прецизионный Fluke 8508А, рег. № 25984-14;
Генератор сигналов низкочастотный прецизионный ГЗ-122, рег. № 10237-85;
Калибратор многофункциональный и коммуникатор BEAMEX MC5-R, рег. № 52489-13;
Частотомер электронно-счетный Ч3-63/1, рег. № 25984-14.
Допускается применение аналогичных средств поверки, обеспечивающих определение метрологических характеристик поверяемых СИ с требуемой точностью.
Знак поверки наносится на свидетельство о поверке.
Сведения о методах измерений
приведены в эксплуатационном документе
Нормативные документы
• ♦ ♦ IT
автоматизированным измерения, управления и защиты ABB Ability Industrial
ГОСТ Р 52931-2008 Приборы контроля и регулирования технологических процессов. Общие технические условия
ГОСТ 8.009-84 ГСИ. Нормируемые метрологические характеристики средств измерений
76568-19: Методика поверки МП 201-038-2019Скачать5.9 Мб